Vnitřní paměti osobních počítačů

Paměť obecně je zařízení, která nám slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje.

Registry – paměťová místa na čipu procesoru, pro krátkodobé uchování právě zpracovávaných informací.

Vnější – realizované většinou za pomocí zařízeních, které využívají výměnná média a pak harddisky.

Vnitřní – paměti osazené většinou na základní desce, realizovány jsou pomocí polovodičových součástek a jsou do nich zaváděny právě spouštěné programy a data, se kterými pracují. Můžeme je rozdělit do následujících skupin:

ROM (Read Only Memory) – jsou určeny pouze pro čtení informací, které jsou do nich pevně zapsány již při jejich výrobě a potom není možné již jejich obsah změnit. Jedná se tedy o statickou, energicky nezávislou paměť.

PROM (Programable Read Only Memory) – neobsahuje po vyrobení žádnou informaci a je na uživateli, aby provedl příslušný zápis informace. Tento zápis je možné provést pouze jednou a dále má již paměť stejné vlastnosti jako výše uvedená ROM.

EPROM (Eraseable Programable Read Only Memory) – dá se do ní zapsat a následně lze tyto informace pomocí ultrafialového záření též vymazat. Jsou realizovány pomocí speciálních unipolárních tranzistorů, které jsou schopny na svém přechodu udržet el. Náboj po dobu několika let a lze právě vymazat pouze UV zářením. Jsou charakterizovány malým okénkem v pouzdře integrovaného obvodu obsahující tuto paměť. Při práci je tento otvor většinou přelepen, aby nemohlo dojít k vymazání paměti vlivem UV záření v ovzduší.

EEPROM (Electrically EPROM) – má podobné chování jako EPROM, ale mazání se zde provádí elektricky, čímž odpadá nepohodlná manipulace při mazání.

FLASH – jsou obdobou EEPROM, mazání se provádí přímo v počítači, nemusí se umisťovat do speciálního programovacího zařízení.

RAM – jsou určeny pro zápis i pro čtení dat. Jedná se o paměti, které jsou energeticky závislé. Podle toho, zda jsou dynamické nebo statickém jim říkáme DRAM a SRAM.

SRAM – uchovávají v sobě uloženou informaci po celou dobu, po kterou jsou připojeny ke zdroji el.napětí. Jsou realizovány jako bistabilní klopný tj. obvod, který se může nacházet vždy v jednom ze dvou stavů, které určují, zda je v paměti uložena 1 nebo 0. Jsou výhodné pro svoji nízkou přístupovou dobu, jejich nevýhodou může být jejich vyšší složitost a z toho plynoucí vyšší výrobní náklady. V současnosti jsou využívány především pro realizaci paměti typu CACHE, jejichž kapacita je ve srovnání s operační pamětí několikanásobně nižší.

DRAM – zde je informace uložena pomocí elektrického napětí na kondenzátoru. Tento náboj má však tendenci se vybíjet i v době, kdy je paměť připojena ke zdroji napětí. Aby nedošlo k tomuto vybití, a ke ztrátě informace, je nutné periodicky provádět tzv. refresh, tj. oživování paměťové buňky. Tuto funkci realizuje některý z obvodů z čipové sady. Buňka paměti je velice jednoduchá s nízkými výrobními náklady.Používá se k výrobě operačních pamětí. Její nevýhodou je vyšší přístupová doba způsobena nutností provádět refresh a časem potřebným k nabití a vybití kondenzátoru.